干蝕刻是一類較新型，但迅速為半導(dǎo)體工業(yè)所采用的技術(shù)。其利用電漿(plasma)來進行半導(dǎo)體薄膜材料的蝕刻加工。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下，才有可能被激發(fā)出來；而干蝕刻采用的氣體，或轟擊質(zhì)量頗巨，或化學(xué)活性*，均能達成蝕刻的目的。 干蝕刻基本上包括「離子轟擊」(ion-bombardment)與「化學(xué)反應(yīng)」(chemicalreaction)兩部份蝕刻機制。偏「離子轟擊」效應(yīng)者使用氬氣(argon)，加工出來之邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微。而偏「化學(xué)反應(yīng)」效應(yīng)者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經(jīng)激發(fā)出來的電漿，即帶有氟或氯之離子團，可快速與芯片表面材質(zhì)反應(yīng)。 干蝕刻法可直接利用光阻作蝕刻之阻絕遮幕，不必另行成長阻絕遮幕之半導(dǎo)體材料。而其重要的優(yōu)點，能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高蝕刻率兩種優(yōu)點，換言之，本技術(shù)中所謂「活性離子蝕刻」(reactiveionetch；RIE)已足敷「次微米」線寬制程技術(shù)的要求，而正被大量使用中。